CMOS數字隔離器大大優(yōu)于其他隔離技術(shù)。立缸式液壓升降平臺例如，就電磁場(chǎng)性能而言。Si84xx隔離器具有市場(chǎng)在售的數字隔離元器件中zui高的EMI耐受性 >300V/m電場(chǎng)抗擾度，和>1000A /m磁場(chǎng)抗擾度）這些數字隔離器通過(guò)使用差分信號在隔離柵中進(jìn)行數據傳輸，立缸式液壓升降平臺成對的窄通帶濾波提供了的共模噪聲抑制能力，

但變壓器一般應避免使用，立缸式液壓升降平臺智能電表應用中所使用的另一種隔離解決方案是隔離變壓器。因為它容易受到電磁干擾（EMI而破壞數據。立缸式液壓升降平臺脈沖變壓器也不理想，因為其需要占用較寬帶寬，而帶寬對于數字信號傳輸是極為重要的

電表被安裝到電磁噪聲復雜的地點(diǎn)的概率較高。立缸式液壓升降平臺其次，有兩大原因使得電磁場(chǎng)（EM抑制力成為電表設計主要關(guān)注對象。首先。一些隔離技術(shù)可能是電表系統應用中zui薄弱的環(huán)節。例如，立缸式液壓升降平臺應用一個(gè)外部磁場(chǎng)到基于變壓器的系統將對數據的完整性發(fā)生不良影響，事實(shí)上也出現過(guò)客戶(hù)通過(guò)施加強磁鐵或線(xiàn)圈到儀器而中斷立缸式液壓升降平臺了電表正常工作的案例。這兩種情況下，外部磁場(chǎng)或電磁場(chǎng)噪聲將導致錯誤測量數據提交到控制器。

基于CMOS數字隔離器提供相當高的CMTI性能立缸式液壓升降平臺，現代CMOS數字隔離器克服了智能電表應用中的這些問(wèn)題。立缸式液壓升降平臺與光耦合器相比。同時(shí)保證了更長(cháng)的工作壽命和高可靠性立缸式液壓升降平臺。例如，SiliconLab公司的Si84xxCMOS數字隔離器系列滿(mǎn)足通用CMTI規格25kV/μs新一代隔離元器件預計將比現有產(chǎn)品的性能水平提高兩倍。

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